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《电脑设备》机灵手机进入大容量时代,群联抢

作者:马书 2018年04月15日 国内新闻

电脑设备》智慧手机进入大容量时代,群联抢卡位

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2018年02月27日 13:41 时报资讯

【时报记者王逸芯台北报导】

群联(8299)为因应智慧举动贮存市场进入128GB、甚至是256GB的大容量等级需求,群联(8299)今(27)日正式宣布eMMC/eMCP/UFS控制晶片将全系列援助美光64层3D NAND Flash,亦已预备次世代96层技术研发,不但协助客户在智慧举动装市场扩展品阵线,亦为客户卡位车联网商机作好预备。

2018年全球举动通讯大会(MWC)退场,使用于智慧型手机的AI运算、AR虚拟使用、身份辨识、GIF贴图、4K HDR影片录制以及盘绕音场等创新功用成为各大国际手机厂宣布新机之亮点,为能满足这些多媒体功用贮存需求,往年度的智慧新机之内嵌式记忆体容量片面跃升至128GB、甚至是256GB的贮存容量等级。

我们也正在做着心目中属于未来的事业,那就是通过互联网金融创新,不断完善人与金融、货币之间的关系,让所有人都能享受到最好的金融服务 。

从各国际品牌手机厂2018年将推出的旗舰机种来看,非苹阵营的国际智慧新机之内嵌式记忆体eMMC/eMCP的贮存容量规格提升至128GB,至于全球前两大智慧型手机厂主攻之旗舰新机则不谋而合皆搭载256GB的UFS内嵌式记忆体,除了为2018年智慧型新机大容量贮存规格赛正式鸣枪开跑,亦同步宣告64层甚至更高层数的3D NAND Flash技术正式接棒成为快闪记忆体的主流制程。

群联表示,从快闪记忆体技术演出去看,当容量需求疾速添加,甚至是倍增之时,2D的立体生技术已不能满足终端使用之需求。就2D之NAND Flash之限缩每个贮存单位、同时添加同一层贮存密度的微缩技术已逐步接近物理极限,因而招致最高容量大多停留在128Gb(16GB)之容量水准。至于3D 之NAND Flash技术,则透过垂直平面堆迭贮存单元的方式,打破容量下限的瓶颈,其最高容量将可倍增至256Gb(32GB),并可提升读写资讯之效能。

有于市场使用,再根据目前各大国际快闪记忆体制造大厂的3D NAND Flash制程演出去看,群联电子看好,64层的3D NAND Flash将为往年最大宗之主流技术,因而除了抢先同业推出的可援助该制程技术的高速UFS控制晶片PS8313之外,包括既有热卖的eMMC/eMCP PS8226等全高端智能装备、新一代信息技术、新能源、新材料、新制造、新零售、新技术、生物制药等新的产业集群正在迸发活力;创新驱动、科技支撑、知识产权转化、技术转移等新的动能正在超越旧的动力,新经济成为支撑经济发展的重要力量。系列控制晶片皆同步援助东芝阵营及美光阵营的64层3D NAND Flash,另方面,进一步援助次世代的96层3D NAND Flash之先进制程技术的控制晶片亦无望在年底接棒推出,力图以全方面且临时完好的品规划满足智慧举动安装、车联网等客户扩展全球市场规划之需求。

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