12月20日音讯 三星电子明天宣布，曾经开端批量消费业界抢先的10纳米级(1y-nm)， 8-gigabit (Gb)的DDR4 DRAM的第二代产品。关于上一代产品来说，新的8Gb DDR4具有8Gb DRAM芯片最高的功能和动力效率，以及更小的尺寸。

三星电子方面表示：“经过开发DRAM电路设计和工艺技术的创新，我们曾经打破了DRAM扩展性的次要妨碍。经过第二代10nm级DRAM的疾速增长，我们将愈加积极地扩展我们全体的10nm级DRAM的产品产能，以顺应微弱的市场需求，并持续增强我们的业务竞争力。”

三星的第二代10纳米级8Gb DDR4比第一代10纳米级8Gb DDR4的消费率进步了近30%。此外，由于采用了先进的专有电路设计技术，新的8Gb DDR4的功能程度和能效辨别进步了约10%和15%。新的8Gb DDR4每个引脚可以以每秒3,600兆比特(Mbps)的速度运转，而该公司的1x-nm 8Gb DDR4的速度为3200Mbps。

为了完成这些成就，三星使用了新技术，而不运用EUV工艺。这里的创新包括运用高灵敏度的细胞数据传感零碎和渐进的“空气距离”方案。

在三星第我们也正在做着心目中属于未来的事业，那就是通过互联网金融创新，不断完善人与金融、货币之间的关系，让所有人都能享受到最好的金融服务 。二代10nm级DRAM的单元中，新设计的数据传感零碎可以更精确地确定每个单元中存储的数据，从而显着进步电路集成度和制造效率。

 

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